История:
BCR133E6327HTSA1
STGW25H120DF2
FGH30S150P
MID75-12A3
2014437242
K2501GRP
APTGT200TL60G
K2300G
DTC123TM3T5G
FS450R17OE4P
ACT108W-800EF
BCR108E6327HTSA1
K2401GLRP
LSP05G240PH
STGF8NC60KD
BCR3FM-12LB
LSP05G480PH
LSP10277S
AC0201JR-072R2L
MLN0805-151
STGWA40H120F2
STGW25M120DF3
FF650R17IE4DP_B2
ACT108-800EQP
APTGT50A120T1G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
75 A
Power Dissipation
277 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50A120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT50A120T1G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

