История:
190196
P3403ACLRP
2N2222A
APT75GP120J
APTGT50A170T1G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
75 A
Power Dissipation
312 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50A170T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet