История:
0RBOX006Z
186414
001890
059375
LSP10GI240P
191287
122308
054618
188031
122499
122444
054322
122485
450759
2N3711
055036
0RBOX002Z
059401
067584
STGIPL14K60
RN2302,LF
2N2405
021781
059931
058900
049485
105485
068185
105541
122479
BSM100GD60DLC
BSM75GD120DLC
187653
P2103ACL60
P2300ECL
LCP1531RL
BSM30GD60DLC
BSM50GD60DLC
BSM75GD60DLC
BSM50GD120DN2
BSM75GD120DN2
STGWA40H65DFB2
P2000SBLRP
099320
APTGT50DDA60T3G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
80 A
Power Dissipation
176 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DDA60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT50DDA60T3G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

