Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT APTGT50DH60T1G

APTGT50DH60T1G

APTGT50DH60T1G
APTGT50DH60T1G
Артикул:
Описание: APTGT50DH60T1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 80 A
Power Dissipation 176 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DH60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Microchip
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 80 A
Power Dissipation 176 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50DH60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet