История:
A1225UA4LTP
APTGT75H120TG
T1035H-6G
B59008C0070A040
BTA25-800BW
Q8040K7TP
BTA26-600BWRG
AC0201FR-0730K1L
FGH40N60SFTU
RM5/I-3F36
RM12/I-3F4
APT100GT120JU3
AC0201FR-071K37L
APTGT400U170D4G
T835H-6I
APT200GN60JDQ4
STGIB15CH60S-E
STB2.5-QU-PE
AC0603FR-07115RL
APT100GN60LDQ4G
5M160ZM68C4N
2N2327 PBFREE
FS3L50R07W2H3_B11
AC0201FR-076K04L
IFCM20U65GDXKMA1
DG24-4-12P
AC0201FR-0780K6L
APTGT200DU60TG
BD3/1/4-4S2
APTGT50H120T3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
75 A
Power Dissipation
270 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT50H120T3G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by