Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT

APTGT50H60T3G

APTGT50H60T3G

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

APTGT50H60T3G

Описание: APTGT50H60T3G

Datasheet:

Характеристики

Manufacturer Microchip

Product IGBT Silicon Modules

Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V

Configuration Full Bridge

Gate-Emitter Leakage Current 600 nA

Continuous Collector Current 80 A

Power Dissipation 176 W

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50H60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Скачать datasheet

Купить IGBT модуль APTGT50H60T3G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by