История:
UMH4NTN
AC0201FR-072KL
APT15GP60BG
APT50GR120L
APT27GA90BD15
2N3055AG
STGWT80V60F
2N3251
STGIPS30C60T-H
UMH3NTN
ACST310-8BTR
ADA114EUQ-7
LSP05GI120PH
2N3467
DS1.5-PE
A2C25S12M3
2010056160
P0721SDLRP
2N6349AG
STGW80H65DFB-4
1616-50
BCR135E6327HTSA1
0034.4226
BCR108E6433HTMA1
PUMH30,115
AD8611ARMZ-REEL
LSP05240PX3333
475104-030
BCT40T48S24
DGP4-01P-01
BSM10GP120
K1300G
K1050G
ACT108-600D,412
A2C50S65M2-F
APTGT50SK120TG
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
75 A
Power Dissipation
277 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50SK120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT50SK120TG в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

