История:
AVS12CB
AVS10CB
ZXTP718MATA
APT80GP60B2G
CMD282
ACST830-8GTR
APTGT50TDU170PG
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Configuration
Triple Dual Common Source
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
70 A
Power Dissipation
310 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TDU170PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT50TDU170PG в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by