История:
APT80GP60B2G
CMD282
ACST830-8GTR
APTGT600A60G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
800 nA
Continuous Collector Current
700 A
Power Dissipation
2.3 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600A60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT600A60G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by