История:
2N3251
STGIPS30C60T-H
UMH3NTN
ACST310-8BTR
ADA114EUQ-7
LSP05GI120PH
2N3467
DS1.5-PE
A2C25S12M3
2010056160
P0721SDLRP
2N6349AG
STGW80H65DFB-4
1616-50
BCR135E6327HTSA1
0034.4226
BCR108E6433HTMA1
PUMH30,115
AD8611ARMZ-REEL
LSP05240PX3333
475104-030
BCT40T48S24
DGP4-01P-01
BSM10GP120
K1300G
K1050G
ACT108-600D,412
A2C50S65M2-F
APTGT75H60T1G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
Full Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
100 A
Power Dissipation
250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT75H60T1G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

