История:
K1300G
K1050G
ACT108-600D,412
A2C50S65M2-F
APTGT75SK120TG
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
110 A
Power Dissipation
357 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75SK120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT75SK120TG в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by