История:
3112794
FS300R12OE4
FGAF20N60SMD
FF150R12ME3G
BCR141E6327HTSA1
UMH2NTN
PDTC144EU,115
FS300R12OE4P
RM10-3D3
RM5-3H3
ACST610-8T
FS300R17KE4
STGWT20H60DF
5410200
2N3904TAR
2012622959
ACTT8B-800C0J
ACST410-8FP
FS300R17KE3
FS25R12KE3G
KAT-2
FS225R12OE4
0032.0763
ADC114EUQ-7
TFA32C09DBER
1061383
TZ-100C
Z0405NF0AA2
0032.0785
APTGT75X60T3G
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Configuration
3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
100 A
Power Dissipation
250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75X60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGT75X60T3G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

