История:
LST3857VL2NT1
LST6905VL2NT1
LST1507VL2NT1
APTGTQ100H65T3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Quad
Gate-Emitter Leakage Current
240 nA
Continuous Collector Current
100 A
Power Dissipation
250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ100H65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet