История:
MXLSMLJ8.0A
APTGTQ150TA65TPG
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
360 nA
Continuous Collector Current
150 A
Power Dissipation
365 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ150TA65TPG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet