История:
P1800SCMCLRP
0251002.NAT6L
APTGTQ200DA65T3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
480 nA
Continuous Collector Current
200 A
Power Dissipation
483 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ200DA65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet