История:
MXSMCJ60A
MXSMCJ24A
MXSMCJ110A
MXSMCJ78A
MXSMCJ13A
APTGTQ50TA65T3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
120 nA
Continuous Collector Current
50 A
Power Dissipation
125 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ50TA65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet