BCP5110TA Diodes Incorporated
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
Collector- Base Voltage VCBO
45 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
125 MHz
Pd - Power Dissipation
2000 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hFE Min
63 at 150 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max
63
Factory Pack Quantity
1000
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Maximum DC Collector Current
1 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Series
BCP51
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор BCP5110TA Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BCP5110TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BCP5110TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.