BSM10GP120
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
300 nA
Continuous Collector Current
20 A
Power Dissipation
100 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet