История:
IXBOD1-42R
3112794
FS300R12OE4
FGAF20N60SMD
FF150R12ME3G
BCR141E6327HTSA1
UMH2NTN
PDTC144EU,115
FS300R12OE4P
RM10-3D3
RM5-3H3
ACST610-8T
FS300R17KE4
STGWT20H60DF
5410200
2N3904TAR
2012622959
ACTT8B-800C0J
ACST410-8FP
FS300R17KE3
FS25R12KE3G
KAT-2
FS225R12OE4
0032.0763
ADC114EUQ-7
TFA32C09DBER
1061383
TZ-100C
Z0405NF0AA2
0032.0785
BSM150GB120DLC
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
300 A
Power Dissipation
1.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM150GB120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль BSM150GB120DLC в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

