BSM25GP120
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.55 V
Configuration
Array 7
Gate-Emitter Leakage Current
300 nA
Continuous Collector Current
45 A
Power Dissipation
230 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM25GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet