История:
AVS12CB
AVS10CB
ZXTP718MATA
APT80GP60B2G
CMD282
ACST830-8GTR
BSM30GD60DLC
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
40 A
Power Dissipation
135 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM30GD60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль BSM30GD60DLC в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by