BSM30GP60
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.45 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
300 nA
Continuous Collector Current
50 A
Power Dissipation
180 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM30GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet