История:
B59008C0070A040
BTA25-800BW
Q8040K7TP
BTA26-600BWRG
AC0201FR-0730K1L
FGH40N60SFTU
RM5/I-3F36
RM12/I-3F4
APT100GT120JU3
AC0201FR-071K37L
APTGT400U170D4G
T835H-6I
APT200GN60JDQ4
STGIB15CH60S-E
STB2.5-QU-PE
AC0603FR-07115RL
APT100GN60LDQ4G
5M160ZM68C4N
2N2327 PBFREE
FS3L50R07W2H3_B11
AC0201FR-076K04L
IFCM20U65GDXKMA1
DG24-4-12P
AC0201FR-0780K6L
APTGT200DU60TG
BD3/1/4-4S2
BSM35GD120DLCE3224
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
70 A
Power Dissipation
280 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GD120DLCE3224: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль BSM35GD120DLCE3224 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by