История:
AVS10CB
ZXTP718MATA
APT80GP60B2G
CMD282
ACST830-8GTR
BSM50GD120DN2
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
200 nA
Continuous Collector Current
72 A
Power Dissipation
350 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GD120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль BSM50GD120DN2 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by