История:
APTGT100H60T3G
APTGT100A170TG
FB30R06W1E3
BSM50GD120DN2E3226
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Configuration
Hex
Gate-Emitter Leakage Current
200 nA
Continuous Collector Current
50 A
Power Dissipation
350 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GD120DN2E3226: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль BSM50GD120DN2E3226 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by