BSM75GB120DN2
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Configuration
Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
320 nA
Continuous Collector Current
105 A
Power Dissipation
625 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet