BT168E,112 WeEn Semiconductors
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
WeEn Semiconductors
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
500 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM
0.05 mA
On-State RMS Current - It RMS
800 mA
Maximum Gate Peak Inverse Voltage
5 V
Gate Trigger Voltage - Vgt
300 mV
Gate Trigger Current - Igt
50 uA
Holding Current Ih Max
5 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Vf - Forward Voltage
1.25 V
Height
5.2 mm
Width
4.2 mm
Unit Weight
453,600 mg
Breakover Current IBO Max
9 A
Factory Pack Quantity
5000
Length
4.8 mm
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3 (TO-226-3)
Part # Aliases
934042000000
Product Category
SCRs
Subcategory
Thyristors
Описание
Комплектное тиристорное устройство (SCR) BT168E,112 WeEn Semiconductors
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BT168E,112 WeEn Semiconductors . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BT168E,112 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.