BYM300B170DN2
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BYM300B170DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль BYM300B170DN2 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by