История:
1N8174
1N6370
1N8175
PI6CL10804WEX
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
BYM300B170DN2
BYM300B170DN2
BYM300B170DN2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BYM300B170DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BYM300B170DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

