История:
APT8024JLL
APTGT50TL601G
P3002ABLRP
P6002ACL
DDB2U30N08VR
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
25 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB2U30N08VR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль DDB2U30N08VR в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by