Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT DDB6U30N08VR

DDB6U30N08VR

DDB6U30N08VR
DDB6U30N08VR
Артикул:
Описание: DDB6U30N08VR
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 26 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB6U30N08VR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 26 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB6U30N08VR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet