История:
19427-0102
TLV7011DCKT
SL1011A150E
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
DF1000R17IE4D_B2
DF1000R17IE4D_B2
DF1000R17IE4D_B2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF1000R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF1000R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

