История:
ACTT12B-800CTJ
MIXA150R1200VA
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
DF200R12W1H3_B27
DF200R12W1H3_B27
DF200R12W1H3_B27
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF200R12W1H3_B27: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF200R12W1H3_B27: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

