DF80R07W1H5FPB11BPSA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
20 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF80R07W1H5FPB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet