История:
RM4/I-3F46
NSVMMUN2113LT3G
RGW80TS65DGC11
YAT-12A
IGB10N60TATMA1
2N5629 PBFREE
RGT40NS65DGTL
Q6025K681
PLT18/10/2-4F1
HGTG30N60B3
BTB16-600CWRG
Z0109NA,412
BTA203-800CTEP
ACTT2X-800E,127
RGW00TK65DGVC11
K2200EH70AP
MLN0603-400
RGT50NL65DGTL
MLI080505-4R7-10
BCR10CM-16LH
YAT-6A
2DD1664P-13
DF200R12W1H3_B27
NTLUS3A40PZTAG
RM8/I-3C91
YAT-30A
RGTVX6TS65GC11
Q8008N5RP
FB10R06KL4G
SA-EBBR-2006-F
2DB1132Q-13
BCR 158 E6327
FF300R12KE4_B2
4501515-010
BSM300GA120DLC
APT150GN120J
MKP1V160G
ADTC144WCAQ-7
RGT40NS65DGC9
IGW60N60H3
MLN0603-241
IGW40N65H5AXKSA1
RM8/I-3F36
Q6016LH6
BCR12CM-16LH
ACTT2S-800E,118
IGW20N60H3
RGT50NS65DGC9
IKB06N60T
Q4040K7TP
RM5/ILP-3C90
Q8025N5RP
RGTVX6TS65DGC11
IHW40N60R
AC0603FR-07232RL
IGW30N60H3
A2C25S12M3-F
Z0103MA0,412
Q6X8E3
BTB08-600CWRG
RGT8NS65DGC9
IGW75N60H3
RGT40NL65DGTL
RGT00TS65DGC11
Q6040J781
LSP05GI240PHX3333
QK008VH4
Q6X8E4
PLT18/10/2-3C97
ZV14K2220122NIR1HT
AC0603FR-071ML
IGW50N60H3
AC0201JR-073R3L
IGW40N60H3
IGW50N65H5
BTB06-600CWRG
Q6010LH5
IGW40N65H5
NGTB50N60SWG
ZXTP03200BGTA
LSP05GI240SX3333
A1P35S12M3-F
Q8010N5RP
Q6006N5RP
Z0109MA0,412
Q6008N4RP
APTGLQ25H120T2G
RGTV60TS65DGC11
101KD07-FTB
RGCL80TK60DGC11
RGCL60TK60GC11
Q6012LH5TP
AC0603FR-0723K7L
Q6010L555TP
Q6012LH2
RGCL80TK60GC11
AC0603FR-0723K2L
Q6006DH4RP
Q6010LH5TP
Q6010L5
L0103DE
Q6006DH3RP
ACTT12B-800CJ
Q6016LH6TP
Дискретный модуль APT58M50JU3 Microchip / Microsemi
Скачать datasheet
Нет в наличии
Артикул:
Производитель:
Microchip / Microsemi
Описание:
Дискретный модуль APT58M50JU3 Microchip / Microsemi
Характеристики
Brand
Microchip / Microsemi
Configuration
Single
Fall Time
50 ns
Id - Continuous Drain Current
58 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
543 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
65 mOhms
Rise Time
70 ns
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
155 ns
Typical Turn-On Delay Time
60 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
Описание
Дискретный модуль APT58M50JU3 Microchip / Microsemi
В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT58M50JU3 Microchip / Microsemi . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT58M50JU3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Дискретный модуль APT58M50JU3 купить в Минске в каталоге Components.by

