Дискретный модуль BSM120D12P2C005 ROHM Semiconductor
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
Дискретный модуль BSM120D12P2C005 ROHM Semiconductor
Характеристики
Brand
ROHM Semiconductor
Configuration
Half-Bridge
Fall Time
60 ns
Id - Continuous Drain Current
134 A
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
Module
Pd - Power Dissipation
935 W
Product
Power Semiconductor Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
50 ns
RoHS
Details
Series
BSMx
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
170 ns
Typical Turn-On Delay Time
45 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 6 V, 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.6 V
Описание
Дискретный модуль BSM120D12P2C005 ROHM Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BSM120D12P2C005 ROHM Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BSM120D12P2C005 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.