История:
TMS320VC5509AGBBR
TM4C123GH6PMI7
Дискретный модуль BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
Дискретный модуль BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor
Характеристики
Brand
ROHM Semiconductor
Configuration
Half-Bridge
Fall Time
50 ns
Id - Continuous Drain Current
180 A
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
Module
Pd - Power Dissipation
880 W
Product
Power Semiconductor Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rise Time
70 ns
RoHS
Details
Series
BSMx
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
SiC Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
165 ns
Typical Turn-On Delay Time
50 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1200 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 4 V, 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.7 V
Описание
Дискретный модуль BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BSM180D12P3C007 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.