Дискретный модуль BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

BSM300C12P3E201

Производитель: ROHM Semiconductor

Описание: Дискретный модуль BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor

Характеристики

Brand ROHM Semiconductor

Fall Time 40 ns

Id - Continuous Drain Current 300 A

Manufacturer ROHM Semiconductor

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Screw Mount

Package/Case Module

Pd - Power Dissipation 1360 W

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rise Time 35 ns

Transistor Polarity N-Channel

Type SiC Power MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time 155 ns

Typical Turn-On Delay Time 40 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vf - Forward Voltage 1.6 V

Vgs - Gate-Source Voltage 18 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5.6 V

Vr - Reverse Voltage 1200 V

Описание