Дискретный модуль BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

BSM600C12P3G201

Производитель: ROHM Semiconductor

Описание: Дискретный модуль BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor

Характеристики

Brand ROHM Semiconductor

Configuration Chopper

Fall Time 65 ns

Id - Continuous Drain Current 576 A

Manufacturer ROHM Semiconductor

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Screw Mount

Package/Case Module

Pd - Power Dissipation 2460 W

Product Power Semiconductor Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rise Time 50 ns

RoHS Details

Series BSMx

Technology SiC

Transistor Polarity N-Channel

Type SiC Power Module

Typical Turn-Off Delay Time 240 ns

Typical Turn-On Delay Time 70 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vf - Forward Voltage 1.8 V at 600 A

Vgs - Gate-Source Voltage - 4 V, 22 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.7 V

Описание