Дискретный модуль DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

DF23MR12W1M1B11BPSA1

Производитель: Infineon Technologies

Описание: Дискретный модуль DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies

Характеристики

Brand Infineon Technologies

Configuration Dual

Fall Time 12.8 ns

Id - Continuous Drain Current 25 A

Manufacturer Infineon

Maximum Operating Temperature + 150 C

Minimum Operating Temperature - 40 C

Mounting Style Screw Mount

Package/Case AG-EASY1BM-2

Product Power MOSFET Modules

Product Category Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Drain-Source Resistance 66 mOhms

Rise Time 7.2 ns

RoHS Details

Series Discrete IGBT7

Transistor Polarity N-Channel

Type SiC Power MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time 38.5 ns

Typical Turn-On Delay Time 11.3 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1200 V

Vf - Forward Voltage 4.6 V

Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.45 V

Vr - Reverse Voltage 1200 V

Описание