Дискретный модуль IXFN110N60P3 IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
15 ns
Id - Continuous Drain Current
90 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
1.5 mW
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
56 mOhms
Rise Time
30 ns
RoHS
Details
Series
IXFN110N60
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
106 ns
Typical Turn-On Delay Time
63 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
Описание
Дискретный модуль IXFN110N60P3 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN110N60P3 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN110N60P3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.