Дискретный модуль IXFN110N85X IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
11 ns
Id - Continuous Drain Current
110 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
1.17 kW
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
33 mOhms
Rise Time
25 ns
RoHS
Details
Series
HiPerFET
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
144 ns
Typical Turn-On Delay Time
50 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
850 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3.5 V
Описание
Дискретный модуль IXFN110N85X IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN110N85X IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN110N85X , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.