Релейная защита и автоматика
Пассивные компоненты
Полупроводниковые приборы
Соединители
Электромеханика
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль IXFN170N10 IXYS

Дискретный модуль IXFN170N10 IXYS
Дискретный модуль IXFN170N10 IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль IXFN170N10 IXYS
Datasheet:
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 79 ns
Id - Continuous Drain Current 170 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 600 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 10 mOhms
Rise Time 90 ns
RoHS Details
Series HiPerFET
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 158 ns
Typical Turn-On Delay Time 40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Описание

Дискретный модуль IXFN170N10 IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN170N10 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN170N10 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet