Дискретный модуль IXFN170N30P IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
16 ns
Id - Continuous Drain Current
138 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
890 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
18 mOhms
Rise Time
29 ns
RoHS
Details
Series
IXFN170N30
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Polar Power MOSFET HiPerFET
Typical Turn-Off Delay Time
79 ns
Typical Turn-On Delay Time
41 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
300 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4.5 V
Описание
Дискретный модуль IXFN170N30P IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN170N30P IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN170N30P , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.