Дискретный модуль IXFN200N07 IXYS
Скачать datasheet
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
60 ns
Id - Continuous Drain Current
200 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
520 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
6 mOhms
Rise Time
60 ns
RoHS
Details
Series
HiPerFET
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
100 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
70 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Описание
Дискретный модуль IXFN200N07 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN200N07 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN200N07 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.