Релейная защита и автоматика
Пассивные компоненты
Полупроводниковые приборы
Соединители
Электромеханика
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль IXFN200N10P IXYS

Дискретный модуль IXFN200N10P IXYS
Дискретный модуль IXFN200N10P IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль IXFN200N10P IXYS
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 90 ns
Id - Continuous Drain Current 200 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 175 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 680 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5 mOhms
Rise Time 35 ns
RoHS Details
Series IXFN200N10
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 150 ns
Typical Turn-On Delay Time 30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Описание

Дискретный модуль IXFN200N10P IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN200N10P IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN200N10P , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.