Дискретный модуль IXFN300N10P IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
25 ns
Id - Continuous Drain Current
295 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
1.07 kW
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
5.5 mOhms
Rise Time
35 ns
RoHS
Details
Series
IXFN300N10
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Polar Power MOSFET HiPerFET
Typical Turn-Off Delay Time
56 ns
Typical Turn-On Delay Time
36 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V
Описание
Дискретный модуль IXFN300N10P IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN300N10P IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN300N10P , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.