Дискретный модуль IXFN32N80P IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
26 ns
Id - Continuous Drain Current
29 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
625 W
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
270 mOhms
Rise Time
29 ns
RoHS
Details
Series
IXFN32N80
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
85 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Описание
Дискретный модуль IXFN32N80P IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN32N80P IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN32N80P , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.