Дискретный модуль IXFN360N15T2 IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
265 ns
Id - Continuous Drain Current
310 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
1.07 mW
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
4 mOhms
Rise Time
170 ns
RoHS
Details
Series
IXFN360N15
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Type
GigaMOS Trench T2 HiperFet
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Описание
Дискретный модуль IXFN360N15T2 IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN360N15T2 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN360N15T2 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.