Дискретный модуль IXFN50N120SK IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Id - Continuous Drain Current
48 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Pd - Power Dissipation
-
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
40 mOhms
RoHS
Details
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.4 V
Описание
Дискретный модуль IXFN50N120SK IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN50N120SK IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN50N120SK , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.