Релейная защита и автоматика
Пассивные компоненты
Полупроводниковые приборы
Соединители
Электромеханика
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Дискретный модуль IXFN73N30 IXYS

Дискретный модуль IXFN73N30 IXYS
Дискретный модуль IXFN73N30 IXYS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Производитель: IXYS
Описание: Дискретный модуль IXFN73N30 IXYS
Datasheet:
Характеристики
Brand IXYS
Configuration Single
Fall Time 50 ns
Id - Continuous Drain Current 73 A
Manufacturer IXYS
Maximum Operating Temperature + 150 C
Minimum Operating Temperature - 55 C
Mounting Style Chassis Mount
Package/Case SOT-227-4
Pd - Power Dissipation 520 W
Product Category Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance 45 mOhms
Rise Time 80 ns
RoHS Details
Series HiPerFET
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 100 ns
Typical Turn-On Delay Time 30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Описание

Дискретный модуль IXFN73N30 IXYS

В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXFN73N30 IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXFN73N30 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet